i23系列 1200V 1000A/1100A IGBT模塊采用經典ED封裝，超精細微溝槽柵技術下的i23芯片賦予模塊超低損耗Eon+Eoff，1200V/1000A 產品搭配加強型Si3N4 絕緣陶瓷覆銅基板，有效增強了模塊出流能力。1200V/1100A產品在此基礎上增加Pinfin散熱底板，實現最低最低熱阻的同時進一步提升了出流能力，為大功率、高功率密度、高可靠性的光伏、儲能和商用車領域帶來全新的解決方案。

產品型號

• SISD1000ED120i23

• SISD1100ED120i23P

產品特點

• i23超低損耗微溝槽柵IGBT芯片組

• 加強 Si3N4 絕緣陶瓷覆銅基板

• 低熱阻銅底板

• 行業標準封裝，低內部阻抗

• 實現最低熱阻的針柱散熱底板

• 可選擇壓接式信號引腳

應用領域

• 光伏逆變器

• 儲能PCS

• 商用車

• 變頻器

• 電焊機

• UPS

1200V 1000A/1100A ED封裝IGBT模塊，現已量產。歡迎廣大客戶訪問賽晶半導體公司網站 https://www.swiss-sem.com/，查閱詳情、索取樣品。