采用成熟的ST封裝半橋拓撲設計，1000A的大額定電流可減少甚至避免 IGBT 模塊并聯，顯著簡化系統設計并提升可靠性。高集成度與優異的性能，在系統層面為客戶提供更具吸引力的性價比。出色的溫度循環能力，運行結溫提升至175℃，顯著提高了產品功率密度。 該模塊配備全新的i23精細微溝槽柵型IGBT芯片組實現極高的電流密度，超低的損耗給模塊帶來出色的系統可靠性。

產品型號

SISD01000ST120i23_A01

產品特點

• i23超低損耗微溝槽柵IGBT芯片組

• 高效 AI2O3絕緣陶瓷基板

• 高爬電距離與電氣間隙

• 低熱阻銅底板

• 行業標準封裝

競爭優勢

• 基于多年功率半導體研發經驗優化的國產IGBT與二極管芯片組

• 高魯棒性短路耐受能力，提升系統安全性

• 優化開關特性，降低高頻應用中的功耗

• 支持高功率密度輸出，適用于緊湊型設備設計

• 采用可追溯性管理進行質量控制

應用領域

• 光伏

• 儲能PCS

• 電機控制

• 商用車

• UPS

1200V 1000A ST封裝半橋IGBT模塊，現已量產。歡迎廣大客戶訪問賽晶半導體公司網站 https://www.swiss-sem.com/，查閱詳情、索取樣品。